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【技術(shù)資料】保護(hù)器件之ESD靜電保護(hù)器

隨著集成電路的發(fā)展,芯片的集成度越來越高,但是相應(yīng)的耐壓也逐漸降低,所以很容易遭受EOS、ESD(靜電放電)等瞬態(tài)能量的破壞。

ESD(靜電保護(hù)器)作為現(xiàn)在最主要的保護(hù)器件之一,對電路和芯片的保護(hù)起到了重要作用。

靜電保護(hù)器,也叫靜電管,英文全稱Electrostatic Discharge Suppressor,英文縮寫ESD。


一、ESD的工作原理

正常情況下,ESD和被保護(hù)的電路或者芯片并聯(lián),在不動(dòng)作的時(shí)候,阻值很大,在兩端電壓小于等于保護(hù)器件截止電壓的時(shí)候,漏電流很小(規(guī)格書定義值),基本不產(chǎn)生功率損耗,所以不影響電路正常工作。

當(dāng)ESD兩端的電壓超過擊穿電壓的時(shí)候(定義的是1mA電流下的電壓),ESD被判定擊穿導(dǎo)通,從高阻變成了低阻,根據(jù)歐姆定律,I=U/R,這個(gè)時(shí)候流經(jīng)ESD的電流會(huì)瞬間變大,把過壓限制在ESD的最大鉗位電壓以下,從而起到分流限壓的效果。

瞬態(tài)過壓消失后,ESD又恢復(fù)成了高阻狀態(tài),從而達(dá)到重復(fù)保護(hù)的效果。


二、ESD與TVS的區(qū)別

ESD的工作原理和TVS是一致的,甚至某些時(shí)候可以直接稱呼ESD為TVS,但是之所以把ESD單獨(dú)作為一個(gè)保護(hù)器件種類區(qū)分開來,自然是有它的原因的。

首先,TVS的目的是為了防護(hù)能量相對較強(qiáng)的浪涌,創(chuàng)造之初就是作為電源口的防護(hù)器件用來保護(hù)電源接口不被浪涌打壞,所以正常情況下TVS對本身的結(jié)電容是沒什么要求的,一般不會(huì)體現(xiàn)容值Cj這個(gè)參數(shù)。

但是ESD不同,ESD之所以會(huì)誕生,正是因?yàn)樾枰獫M足某些特定的環(huán)境下瞬態(tài)過壓比如靜電對產(chǎn)品信號接口的破壞的防護(hù)要求,靜電的特性根據(jù)國際標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2可以知道就算是標(biāo)準(zhǔn)里面定義的最高放電等級——接觸放電8KV、空氣放電15KV的時(shí)候電流也才幾十安培,而且靜電的脈寬時(shí)間是納秒(ns)級別,所以對產(chǎn)品的通流能力要求沒那么高。

但是常規(guī)的TVS的封裝體積又比較大,放在芯片的信號接口做防護(hù)顯然是不合適的,同時(shí)常規(guī)的TVS的容值都是幾百pF到幾個(gè)nF,會(huì)嚴(yán)重影響高速信號線的傳輸,所以急需一種器件可以同時(shí)滿足這幾種條件:一、封裝小。二、容值低。三、可以滿足保護(hù)靜電最高等級接觸放電8KV空氣放電15KV的能力。四、可以把瞬態(tài)的過壓給降下來。

在這種情況下,ESD誕生了,通過大量降低TVS芯片尺寸,來實(shí)現(xiàn)降低容值的效果,同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)小封裝的要求,并且可以通過靜電實(shí)驗(yàn)以及實(shí)現(xiàn)鉗位效果。

在實(shí)際的工程應(yīng)用當(dāng)中,很多信號端口的信號線不止一條,比如USB、HDMI等都有多條信號線,所以為了方便,市場上推出了多路陣列式防護(hù)器件,比如我司的TUSD05L4U,可以同時(shí)防護(hù)4路信號線,集成到一顆DFN2510-10L封裝的器件里面。

但是由于正常電源都是單路的,所以TVS基本上都是單路防護(hù)的,常用封裝也就只有SOD-123FL、SMA、SMB、SMC。

綜上,ESD和TVS的區(qū)別如下:

1、ESD主要用來防護(hù)靜電,TVS主要用來防護(hù)浪涌。

2、ESD封裝小、且封裝形式多樣。

3、ESD容值比TVS小。


三、ESD的電路符號和極性

ESD的電路符號和TVS可以畫成一樣的,因?yàn)橛玫淖疃嗟腅SD都是硅材質(zhì)的,電路符號如下:


四、ESD的伏安特性曲線

最早的ESD和TVS一樣都是常規(guī)的隨著經(jīng)過器件的IP更大,兩端的電壓值越高的特性,但是隨著時(shí)代的發(fā)展和需求的變化,增加了具有回掃效果的ESD,所以ESD的伏安特性曲線現(xiàn)在也分成常規(guī)的和回掃的,回掃ESD又分淺回掃和深回掃。

幾種不同特性的ESD都有各自的適用場景。


五、ESD的分類以及優(yōu)缺點(diǎn)

ESD其實(shí)是一種根據(jù)功能命名的器件,主要是用來防護(hù)靜電,但是根據(jù)材料來區(qū)分的話,又可以分為三大類,三種類型的ESD特性各有差異:


1,硅基材料:也可以叫做TVS型的ESD,或者直接叫TVS。

優(yōu)點(diǎn):反應(yīng)速度快、鉗位電壓低、封裝形式多樣、容值范圍比較大、不易老化。

另外,TVS型ESD又分為普通型和回掃型,回掃型主要應(yīng)對在電路無法進(jìn)行更改但是同時(shí)又會(huì)因?yàn)闅垑簡栴}導(dǎo)致后端受到干擾時(shí)應(yīng)用,優(yōu)點(diǎn)是殘壓低,但是同樣存在“栓鎖效應(yīng)”,即當(dāng)正常工作電壓如果大于回掃后的最小電壓時(shí),如果電流超出器件維持電流,則會(huì)導(dǎo)致ESD持續(xù)導(dǎo)通后失效。


2,壓敏材料:正常都是氧化鋅材質(zhì)的小封裝壓敏電阻,也可以直接叫壓敏電阻。

優(yōu)點(diǎn):反應(yīng)速度快、防護(hù)等級可以做的較高。

缺點(diǎn):易老化、殘壓較高、容值較大。


3,高分子聚合物材料:高分子材料做成的具有防靜電功能的小封裝保護(hù)器件。

優(yōu)點(diǎn):容值極低(0.05pF)。

缺點(diǎn):啟動(dòng)電壓高(幾百伏)、防護(hù)等級低、不耐高溫。


六、常見ESD封裝

ESD根據(jù)保護(hù)信號線的路數(shù),又可以分為:單路保護(hù)ESD、兩路保護(hù)ESD、四路保護(hù)ESD等,所以ESD的封裝形式也有各種類型,如下所示:

DFN0603-2L0201

DFN1006-2L0402

SOD-5230603

SOD-3230805

尺寸——

長:0.6mm

寬:0.3mm

高:0.3mm

尺寸——

長:1.0mm

寬:0.6mm

高:0.5mm

尺寸——

長:1.2mm

寬:0.8mm

高:0.6mm

尺寸——

長:1.7mm

寬:1.2mm

高:0.9mm






DFN1610-2L

DFN2020-3L

DFN2510-10L

SOT-23

尺寸——

長:1.6mm

寬:1.0mm

高:0.5mm

尺寸——

長:2.0mm

寬:2.0mm

高:0.6mm

尺寸——

長:2.5mm

寬:1.0mm

高:0.6mm

尺寸——

長:3.0mm

寬:1.3mm

高:1.0mm






SOT-143

SOT-23-6L



尺寸——

長:2.9mm

寬:1.3mm

高:1.0mm

尺寸——

長:3.0mm

寬:1.6mm

高:1.3mm







當(dāng)然,以上是常規(guī)封裝,隨著市場需求變化,也有一些特定接口的保護(hù)會(huì)需求其它形式的封裝,比如SOT-323、SOT-363等,主要是由于PCB小型化無法放進(jìn)多顆ESD的情況導(dǎo)致的需求,正常情況下,如果PCB允許的情況,封裝大引腳大一點(diǎn)有利于電流泄放,可以不用選擇的太極限,以免出現(xiàn)其它問題。


七、ESD的關(guān)鍵參數(shù)

①,靜電防護(hù)等級:器件可以保護(hù)的最大的靜電等級。

說明:阻容模組正常是IEC模型150pF、330Ω,放電模式根據(jù)靜電槍頭是否接觸EUT分為接觸放電和空氣放電,根據(jù)是測試EUT還是耦合板分為直接放電和間接放電,通常情況下,這里的放電等級是在直接放電的模式下測試的。

②,8/20us 波形峰值脈沖電流:器件在8/20us波形下可以承受的最大電流。

備注:之所以沒有評估功率,主要是考慮現(xiàn)有器件的特性不是功率越大越好,因?yàn)?/span>Ppp=IPP*VC,而回掃型ESDVC很低,所以功率高有可能意味著殘壓也很高,

③,絲?。罕硎井a(chǎn)品本體上的印字。

④,截止電壓(Vrwm,Reverse stand-off voltage):安全工作電壓,器件兩端電壓小于等于截止電壓時(shí),器件的漏電流≤規(guī)格書定義的漏電流。

說明:所以如果產(chǎn)品工作電壓超出器件截止電壓,器件兩端的漏電流就會(huì)變大,最后導(dǎo)致器件性能損傷或者直接導(dǎo)通失效。

⑤,擊穿電壓(VBRBreakdown voltage):觸發(fā)電壓、動(dòng)作電壓、在器件兩端電壓大于等于擊穿電壓時(shí),判定器件被擊穿,實(shí)際是在規(guī)格書定義的測試電流IT1mA)下對應(yīng)的電壓。

⑥,最大鉗位電壓(VCMaximum Clamping Voltage):在對應(yīng)波形(正常情況下是在10/1000us的純電流波)的IPP的情況下,器件兩端的限制電壓(也叫殘壓、鉗位電壓、保護(hù)電壓等)。

說明:在不同的電流的情況下,ESD兩端的VC會(huì)有差異。

⑦,反向漏電流(IR,Reverse Leakage):定義在器件兩端電壓為截止電壓Vrwm的時(shí)候器件的反向電流。

⑧,結(jié)電容:器件兩端的電容值。

說明:高速信號線對并聯(lián)在上面的器件的電容值比較敏感,因?yàn)闀?huì)影響電路正常的信號傳輸。

⑨,產(chǎn)品封裝:表明產(chǎn)品的封裝形式。

⑩,極性:只有一顆單向TVS意味著是單向器件,有兩顆則是雙向,單雙向也可以通過I-V特性曲線來進(jìn)行判斷。


八、ESD的選型考慮

底層邏輯:在不影響要保護(hù)的電路平時(shí)正常工作的情況下,還能在異常的過壓經(jīng)過的時(shí)候,把電壓降下來,達(dá)到保護(hù)后面的電路或者芯片的目的,同時(shí)保護(hù)器件本身還不能被打壞。


分析:

1,如何實(shí)現(xiàn)在加了ESD后不影響電路正常工作?

——針對電源端口,主要會(huì)影響電路正常工作的因素是ESD的兩端的電壓和漏電流,漏電流大會(huì)導(dǎo)致電路損耗增大,對于ESD本身來說,正常不動(dòng)作之前漏電流是很小的,但是在觸發(fā)導(dǎo)通之后,器件的反向電流會(huì)變大,持續(xù)保持這個(gè)狀態(tài)ESD有失效的風(fēng)險(xiǎn)。

所以,針對以上考慮,ESD首先需要考慮截止電壓Vrwm的選擇,因?yàn)榻刂闺妷壕褪轻槍π缘慕o出的安全電壓的建議,如果電路本身的工作電壓超出器件的截止電壓,那么漏電流就有可能會(huì)超出TVS規(guī)格書給出的范圍,產(chǎn)生安全隱患。

也就是:Udc < Vrwm

 

——針對信號端口,分為高速信號和低速信號,需要考慮到ESD的結(jié)電容,不同的傳輸速率,對容值要求越高,不同傳輸速率下建議應(yīng)用的器件容值如下:

2,怎么實(shí)現(xiàn)異常過壓經(jīng)過ESD后,ESD可以有效保護(hù)后面的電路或芯片。

——這里主要考慮的是器件兩端的殘壓,但是由于這里的殘壓是瞬態(tài)的,而后端芯片的耐壓是常態(tài)的,所以還是需要實(shí)際測試驗(yàn)證。

如果在PCB不能動(dòng)的情況下,可以先嘗試用幾種方法降低器件兩端殘壓:

①,選用殘壓更低的器件或者回掃型的器件。

②,選用IPP更大的器件。

如果PCB可以更新,可以嘗試用以下幾種方案降低殘壓:

①,線路上串聯(lián)電阻并聯(lián)電容等退耦器件,因?yàn)榻?jīng)典的脈沖持續(xù)時(shí)間只有納秒級別,所以瞬間的脈沖尖峰非常高,可以通過增加電阻等退耦的方式吸收尖峰殘壓。

②,把ESD的地阻抗減少,加快ESD動(dòng)作時(shí)間。

靜電的防護(hù)除了傳導(dǎo)以外,還有耦合的方式,因?yàn)镋SD頻率非???,所以容易直接和敏         感金屬引腳形成電容電流路徑,盡量把敏感信號離地物理路徑遠(yuǎn)一點(diǎn)以免產(chǎn)生耦合。

 

3,ESD自身不能被打壞。

——這個(gè)主要是考慮ESD的防靜電等級,選擇一個(gè)比需求的等級高的ESD就可以了。